PMOS管工作区间判断
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关于PMOS管工作区间的判断，有些问题想请教一下大牛们。
因为P管的阈值Vtp<0,一般情况下源级电压高于栅和漏，这样Vgs和Vds出现了负值，在与Vtp比较时就有点晕了，如果我都加上绝对值的话用判断N管的方法来判断P管的工作方式可不可以了?下面是我的理解，有不对的地方请大家帮我指出来，小生感激不尽！
（1）|Vgs|<|Vtp|时p管处于截至区
（2）|Vds|>=|Vgs|-|Vtp|时p管处于饱和区
（3）|Vds|<|Vgs|-|Vtp|时p管处于三极管区
因为P管的阈值Vtp<0,一般情况下源级电压高于栅和漏，这样Vgs和Vds出现了负值，在与Vtp比较时就有点晕了，如果我都加上绝对值的话用判断N管的方法来判断P管的工作方式可不可以了?下面是我的理解，有不对的地方请大家帮我指出来，小生感激不尽！
（1）|Vgs|<|Vtp|时p管处于截至区
（2）|Vds|>=|Vgs|-|Vtp|时p管处于饱和区
（3）|Vds|<|Vgs|-|Vtp|时p管处于三极管区
是的，多判断几次就熟了，电路看多了就知道了
我这样理解对吗?
可以这么理解
可以这样理解的
为什么一定要按NMOS记呢，这样不顺一点吗
（1）Vsg<|Vtp|时p管处于截至区
（2）Vsd>=Vsd-|Vtp|时p管处于饱和区
（3）Vsd<Vsd-|Vtp|时p管处于三极管区
哦哦。好的！谢谢
对哦。这样更方便！
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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