BJT VCE(sat)求助
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大家都知道BJT放大工作时(以NPN为例),发射结正偏,集电结反偏,VBE≈0.7V,VCE>0.7V。
而BJT的输出电压小,VCE(sat) 0.1V左右,在非常低的电压应用中仍然是较好的器件,可是这样的VCE(sat)怎么保证集电结反偏,怎么保证BJT工作在放大状态?
希望懂的大神能指导一下,谢谢!
而BJT的输出电压小,VCE(sat) 0.1V左右,在非常低的电压应用中仍然是较好的器件,可是这样的VCE(sat)怎么保证集电结反偏,怎么保证BJT工作在放大状态?
希望懂的大神能指导一下,谢谢!
这个不是工作在饱和状态了么?
是不是说饱和状态时,发射极电压最大只能到达Vc-Vce(sat)?
是工作在饱和状态,就是不知道VCE>VCE(sat)时,比如VCE(sat)为0.1V,当VCE为0.3V时,BJT工作在放大区,这时集电结并不是反偏,而是正偏。
我觉得这里是大信号 小信号的问题
如果输入输出都是小信号的话 VCE是不会这么低的 当然前提是DC bias正确
如果输出端是大信号的话 问题比较复杂 简单点说就是不能按照小信号的参数去计算了 因为(相当于)bias一直在变 我记得有个 pst仿真的方法处理这个情况的
所以看能不能放大信号的时候 不能只看在某个瞬时的VCE(或者 VBE 等等)的值 这个时候只是产生了distortion
这时你理解为饱和态就行了啊
书上有讲,
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懂了,非常感谢,请问这是出自哪一本书啊?谢谢
看起来像微电子线路那本。小于BJT导通电压均可以认为反偏。
Microelectronic Circuits By Sedra 6th Edition申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程。