偶然看到一个MCU的RC OSC spec,不知1%是怎么实现的
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有无大神指点下?
一次校准之后,频率随V,T变化±1%还算好做吧
数字校准
整片wafer的die RC 随温度变化1%都可以实现吗?
有人把振荡器用带隙基准的思路做,进行温度补偿,例如一个基准电流给电容充电。
可以啊,这东西本来就只受RC温漂影响,也就R温漂稍微大些。
补偿后的电流全wafer 下也会超过1%啊
那问下全片wafer的电阻温度漂移一致性很好吗?一致性不好也会超出1%啊。
corner下电阻率变化主要与掺杂,厚度有关,加起来±30%,温漂只和掺杂有关,偏不了多大
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