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偶然看到一个MCU的RC OSC spec,不知1%是怎么实现的

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有无大神指点下?

一次校准之后,频率随V,T变化±1%还算好做吧

数字校准


整片wafer的die  RC 随温度变化1%都可以实现吗?

有人把振荡器用带隙基准的思路做,进行温度补偿,例如一个基准电流给电容充电。

可以啊,这东西本来就只受RC温漂影响,也就R温漂稍微大些。


补偿后的电流全wafer 下也会超过1%啊


那问下全片wafer的电阻温度漂移一致性很好吗?一致性不好也会超出1%啊。

    corner下电阻率变化主要与掺杂,厚度有关,加起来±30%,温漂只和掺杂有关,偏不了多大

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