问下做underdrive device 的目的是什么？

跟前两者区别是什么?工作在1.8V但还可以抗2.5V吧?

mask的关系?

不产生多的mask 为了抗压 和 降压

能说详细点不?

1.8V device和2.5V device都是指mosfet 耐压，这是两种完全不同的device，gate oxide, implant, 有无halo结构
为了减少mask 数量，来做cost down，同时为适应不同电压做小小的优化
25ud18是让device稍微变快一点，25od33是让device punch trhough电压更高
25ud18 和 25od33都是在2.5V device的基础上 改变 length minimum value 的约束，但是从实际器件来说并没有差别
举个简单例子，tsmc40LP 工艺中，
nch25ud18  ---->  minimum length 250n
nch25  ---->  minimum length 270n
nch25od33  ---->  minimum length 450n
但是这三种器件在mask层上看没有区别，只是在layout上加了cad layer来识别这几种device

   那就是为了省去1.8V device 的mask，做了25ud18，25ud18 完全也可以抗2.5V对不对?

按照楼上的说法，你的理解应该是对的

只能说25ud18的gate oxide可以扛住2.5甚至3.3V，但是由于channel length太小，会punch through

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