求助，工艺角仿真出问题啦！
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这是折叠式运放在tt模式下的仿真结果，所有管子都在饱和区，增益为78dB，相位欲度为80degree,；可是在ss模式下时，几乎所有的管子
都不在饱和区了，本人初学工艺角仿真，都不知道从哪下手，忘大家帮帮忙！
看不清
PMOS CASCODE管居然用NMOS偏置。
你是说这个偏置结构不对么，会导致工艺角仿真出现很大误差?
你这不是corner不会搞，是根本连门在哪都没找到
继续看书
额，我确实是开始从事这方面的，所以很多都不会啊，但我觉得应该就偏置电路有问题啊，
感觉看书没用啊，不搞点实战，看书影响不深的
不要纠结是不是初学工艺角仿真了，应该是没理解偏置的作用和偏置对器件的影响，好好分析一下这个放大器要正常工作时各个器件的条件，再考虑器件在ss或者ff或者fs、sf下的偏差如何影响各个器件的工作区间。
虽然tt结果是正确的，其实你可能没理解，只是刚好蒙对了。
主要是器件的参数,像迁移率，阈值电压Vth，都随着栅长L,宽W变化，理论计算偏差很大，至少现在，我还不能大概估算出每个偏置点电压的允许波动范围，只能大概确定一个直流电压点，然后在根据具体仿真结果，适当的增加或减少，还是很费时间的，但没经验，只能这样调电路，你有什么调电路的建议么，我现在很迷茫
没有工模反馈，偏置错了。
先看看第一级cascode输出，有三组都是用NMOS来偏置（看不到尺寸和电流，不确定是不是同一个电压），这个是基于什么考虑?
还有第二级放大的PMOS的S端是怎么接的?从3L的图看起来有点诡异。
右下角的nmos管没接对
不可能啊
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