40V / 5V 二级电源

想做一个芯片内部的二级电源，功率大概是5V*5mA，外部电源电压是10V~40V。
原来想的是用LDO的方法产生5V电压源，但外部输入电压范围太大，不太好做。也考虑过用charge pump的方法，但这样noise会很大。
器件有5V 的nmos、pmos，40V/40V的高压pmos和高压nmos。
不知道大家有没有好的建议?
谢谢了。

果断DCDC啊，还有什么好犹豫呢

    不太明白。

学习一下，

用Ldo，不要考虑别的

齐纳管预稳压。

5mA太大了，你不会连输出电流也是来自内部电源吧

    5ma不大。

如果用齐纳二极管，它会有电流损耗，导致芯片ＩＱ很大，只能加大限流电阻．加入使能控制信号来降低ＩＱ，又会导致使能信号的开启电压要大于齐纳二极管的电压．
５毫安，芯片内部有振荡器吧

   电流损耗会有一点，但不会很大，几百uA吧。太大说明你设计的不好。

如果只是给一个供电，一共25mW似乎没有必要做BUCK了。
一级LDO不好设计的话，就两级吧。

    用LDO的话，需要做一个片内的LDO，因为LDO的输出端没有外接pin。
    另外一个难点是LDO工作在大电压下，layout面积偏大。现在正在尝试用LDO的5V输出给它自己供电。

   现在看来用齐纳二极管比较简单。很多方案中也有用到，AC DC的LED驱动这样用的比较多。

input 10~40v DC 吧
LDO    40v-5v =35v  , Io=25ma , 控制功率晶體  35v * 25ma ..會耗掉多大 ..
25ma  是平均流嗎? 還是
不能拿 linear LED 方式, 因為那些電壓會跨LED DIE上
所以 控制功率晶體可能壓降不大 ,以一般 sot23 package 250mw ,跟本不能跨太多電壓
會過熱 .

   高压电路，面积就别想省了。我做出来的都是2mm^2以上的。sot23都放不进。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。