倒比管当电阻用时，PMOS倒比管与NMOS倒比管区别？
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最近用这种方式产生一个大电阻，同一偏置电流下，发现随工艺角的变化
NMOS倒比管VGS电压变化情况，和Corner描述基本一致，但当用PMOS做
时，偏差就会很大。
问题出在哪里呢?请有经验的大神指导?
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