MOS管允许的最大电流密度大概是多少？

在不超过击穿电压的情况下，MOS管允许的最大电流密度一般是多少，这个值应该是怎么衡量，它的单位会是安培每米（A/m），还是安培每平方米（A/m^2）呢?
比如在5V的工艺下，把一个MOS管做二极管连接形式，接到5V电源和地之间，应该是会烧坏吧?

顶一下

再顶，在设计占空比达到100%的开关电源时，应该会考虑到这个问题吧

中/高压管做到1.5uA/um就很好了
管子烧不烧，得看MOS大小

对于0.5um工艺应用条件在5V的MOS管的二极管连接形式（栅长为0.5UM），接在5V电源到地的情况
管子大，电流大，发热量大但是管子大，面积也大，是不是散热也大些呢?

5V的器件  能过多大电流
可以手算
还可以查工艺文件

中/高压管做到1.5uA/um就很好了?
这么小，远不止吧

只用饱和区电流公式计算?要不要考虑散热的问题呢?一般的最大电流密度大概会是多少?

单位搞错了应该是1.5mW/um

按照你说的数据，1.5mW/um，我的功率管面积是4500um^2，栅长取1um的话，最大可以消耗6.75W的功耗，我的电路中功率管只需要承受接近2W的功耗，所以是完全没有问题的了?

有没有相关的资料可以推荐一下，非常感谢您。

你用的是N管还是P管，P管按照0.5mW/um
芯片坏不坏，封装的热阻很重要
你的热阻有多大

是PMOS，封装还没确定，如果就用常用的一些封装不知道行不行?热阻一般会在多少?
我看有些说30-40℃/W的，按照0.5mW/um的话，功率管产生功耗为2.25W，用30℃/W的热阻计算，结温比室温高67.5℃，不知道是不是这样算?这种结温行不行?（好像结温可以到100℃）

如果用低热阻的封装形式，热阻值会在多少?

封装的形式对热阻影响很大，最好与封装厂确认下，一般芯片工作结温最大150

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