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如何理解vod和vdsat

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仿真工具在判断晶体管工作区时时比较vds与vod的大小,但是理论上与vdsat比较是最准确的。实际中vdsat与vod大小会有所不同,我们在设计电路过程中到底怎么理解vod与vdsat大小的不同?

这个应该考虑mos管工作在哪个工作区域吧。

vdsat是什么?

vod  = vgs - vth 俗称过驱动电压
vdsat 是指沟道饱和电压。
由于二级和其他效应,沟道电流在vds 到达 vod 之前就饱和了

我的理解是这样:
当MOS管处于强反型时,它处于饱和区的vdsat=vod=VGS-VTH;当MOS管处于弱反型时,它处于饱和区的vdsat不等于vod=VGS-VTH,此时的Vod为负值,而vdsat为正值,而且vdsat会大于等于3VT,这里的VT是热电压26mv.



   一般都是在中级反型区,此时VOD 和 VDSAT也不想等,这段怎么理解。弱反型和强反型情况很少遇见,因为不太会这么设计。



   很常见VDSAT大于VOD

差不多大

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