pad下方衬底的隔离问题

目前使用TSMC工艺，发现pad下方衬底是空的，不论是rf pad 或者analog或者digital类型都这样
可以在衬底放置deep nwell或者NT_N或者N+或P+衬底接触来加强隔离吗，
bonding wire 最多能可能打穿几层金属，如果不会击穿很多层的话，可以使用金属M1给RF pad做隔离吗

不好意思问下PAD下面这个隔离是个什么原理和作用呢?
是因为bonding时会把pad打穿?

和bonding时会把pad打穿没关系
我的意思是噪声的隔离，在rf pad下隔离防止噪声与干扰进入 在数字pad下隔离防止干扰泄漏到衬底
pdk里默认的pad只包含金属层以上的layer

顶，求答复~

bouding PAD下面不摆IO电路不是很早以前的做法吗?
现在不都把IO电路放在PAD下面，还用操什么心PAD下面的衬底?

看来我是out了 基本一直用的是Non—CUP 的PAD，下面什么都不放的那种
既然IO都是能放的，深阱 NT_N之类的隔离应该是没问题的了

放什么nwell，这是加强噪声耦合好么?

不会在RF pad下直接放nwell，打算在pad下方放置NT_N  数字pad下方可用ptap衬底隔离
这样应该没什么噪声耦合问题了吧

   去找下，tsmc给lna一类用的专门的低电容 pad的 rul.下面的确是什么都没。也不建议放。如果是数字io,tsmc的下面都是直接放的lv和esd器件，压根就没做撒隔离。

   你要搞清楚，为了让电容尽可能的小，什么都没有才是最好的隔离。

是啊 但我现在数字pad下是空的 还是屏蔽一下的好

谢谢！
我是想让rf pad下的衬底干净一些，尽量高阻态，衬底与pad的金属层之间不会放其他的东西

   fab提供给你的参考设计是通过验证的，不会有问题，但是你自己重新做就不一定了。如果是mpw，可以搞几个方案试试，如果要走量产，还是保险一点的好。

什么都没有最好

确实什么都没有寄生最小，但可以在pad底部的外围包guard ring，rf pad正下方没有
噪声或干扰可能会通过seal ring串过来

   在底部外围包guardring就是另外一回事了。但如果你的sealring很脏，guardring是不是就干净?能起到多少效果?很难说。

是啊 所以就希望下方的衬底是尽量干净的，在pad到seal ring之间放置guard ring是通行的做法吗

谢谢好友，这么快就回复了
guard ring一般会用本地的电源或地 包括pad外围，随着电源域的不同会分别断开，对于RF来说，电源与地一般是与其他模块分开的 如果这个都不相信的话 LNA外面也不用guard ring围起来了啊

   把你的sealring接到本地不就行了么。如果你是多地电路，那pad包guardring看起来确是有必要的。当然，把sealring放远一点也是有必要的。

标准pad一般有RC——clamp，GGNMOS、GGPMOS、二极管、三极管等电路

    这类pad带来的电容有没有0.1pF?

seal ring接到本地必须要断开啊
seal ring可以断环吗 如果我有N个地，是不是可以把seal ring断成N个? 感觉好像不行啊

有人把seal ring断成N个吗

   没吧，后防出来接近0.2p

    单地就不用断。多地，那接到电流最大的地上。

现在pad都归在模拟的人来搞了

    0.2pF?

    可以断成N个，比如PA在pad处断，但整体一圈还是金属连一起的，
要注意接你芯片的大地——数字地，不要接比较干净的模拟地。

    的确，高频是应该怎样

   多地接到电流最大的，有什么好处?
之前都是接到down bonding最多的地

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