关于cadence仿真一些问题

1、MOS管阈值电压Vth为什么会随W、L的变化有所变化呢，按照书上公式说的应该不受MOS管尺寸影响，只与体效应有关！（当然，我在保证源端接地情况下测试的，而Vth的值我是在直流仿真中的直流工作点查看的）。
2、关于直流工作点数据中的Vdsat，请问这个数据是怎么得来的，并不等于（Vgs-Vth），我想问在判断MOS管是否工作在饱和区时是看Vds大于Vdsat还是看Vds大于（Vgs-Vth）?
3、我在仿真时出现警告，说是MOS管得L、W超出范围，我查看了工艺文件，发现最大只有20u，可电路要求W/L很大，势必会超出规定的尺寸，对于这样的警告，会不会影响仿真结果呢，或是有别的方法解决吗?
谢谢！

菜鸟来回答，高手有不同意见请指教：
书上的公式是最简单的近似模型，cadence里面用的应该是BSIM3v3的模型吧。所以Vth有变化并且Vdsat不等于Vgs-Vth，判断MOS管是否工作在饱和区看vdsat，dc仿真里面有个region，0代表关断，1代表线性区，2代表饱和，3代表亚阈值，4代表过载。对于问题3，我想可以多管并联解决，就是把几个相同管子的栅漏源接到一起作为一个管子 。
BTW,谁来回答我的问题啊

谢谢2楼，帮助很大！

1.书上的公式是一级的，W和L会影响一些二级效应，比如窄沟效应。
2.这两者差得不是很大，主要是速度饱和之类的二级效应引起的，最好用vdsat，但也要有一定的余量，从线性区到饱和区其实是一个渐变的过程。
3.用多个multiplier。

    谢谢！我想详细了解有关二级效应有什么的，有什么资料吗?我看拉扎维的那本书只是简单地提到！

vgs-vth 与 vdsat差的挺大的。导致总是调不好参数。

上面几楼已经回答好了。谈一下感想吧，希望抛砖引玉。
书上的模型只是普遍认可的原理推导的结果，而现在很多工艺的特性已经不能简单的用公式来表达了，也没有非常精准的理论能解释。无所谓啊，只要我们能建模，我们就能用。现在都用BSIM模型了，把管子状态分成了很多段，每段可能含有大量经验公式，就是先测出来参数，然后做成模型。这样自然和书上那些简单公式差很多。
需要明确的是，书上的理论公式只是指导性的，不要教条；而模型也不是都完全准确，也不能完全依赖它。
看状态要看vdsat，最好还要了解，这个工艺的实际测试结果和模型仿真结果在哪些状态是吻合度比较好的，比如vds=vdsat+0.1，够不够?如果了解+0.2吻合度非常好，+0.1有不可忽略的偏差，那我们需要做到+0.2。
管子WL有限制，这个一部分情况是由于工艺制程时，太大的管子制作有问题；但大多数原因是，工艺提供的模型库并没有包含到这个尺寸以外的器件，你要用，它就仿不了，或者不能保证精度。所以某些情况下我们可以无视这个限制，但自己得考虑清楚后果。你要用大的W或者L，并联串联都可以，虽然效果不一样，但那样仿真值是可信的。强行突破这个限制，你得明白仿真值仅作参考。

    如果要详细了解的话就找一些器件方面的教材来看吧，不过我觉得做电路的人研究这么底层的东西意义不大。暂时没看到什么浅显易懂的适合做电路的人看的器件书，如果您看到的话请推荐给我，谢谢~

    多谢！由于现在还处在学习阶段，还无法实际测试，所以也只能停留在仿真的阶段！

    这些器件的测试一般是工艺厂商提供的测试数据。自己不大可能测的。
    如果是自己的foundry，才比较可能拿到这些数据。

学习了

体会很深，谢谢！

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