ESD讨论
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用作ESD的GGNMOS管加大drain端孔到gate的距离对于提高ESD作用大吗?各位大虾们在设计中是否有这样用过呢?
有ESD rule吧?但是，若距离过大的话，寄生电阻会增大，不利于寄生管子快速导通吧。增大源漏区域面积和接触孔个数，有利于雪崩的快速发生，这对ESD是有利的。
不太懂，不过感觉这个变化对于开启电压应该没有影响，但是是否有可能改变沟道电流密度而提高ESD器件的性能比如EM之类的
加大距离是有效果的，而且还要减少contact数量，让drain 端和source端的contact错开
这是为了让esd电流均匀，一旦有一点被esd打坏，整个都fail
ggnmos并不是主要靠表面沟道泄放，而是靠snapback后的寄生BJT作为放电通路
“让drain 端和source端的contact错开”这个倒是没关注过
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