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对于相同65纳米不同foundry的一些问题

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我想请教一下,比如smic和global的65纳米工艺,就金属材质来说,两种工艺的me5、me6的电导率会差很多吗?大概是一个怎样的范围?

自己查一下这两个工艺的design rule或者pcm,这种查文档问题尽量要靠自己来解决
如果真的发现两者有很大出入,再拿出讨论才是一个topic



   就是因为找不到才问的,只有global木有smic的

Digitasdl Integrated Circuits (International Edition) g

不知道你手头有什么,
如果有smic 65nm design rule,那里面会写
如果有PDK,可以把metal 电阻拿出来,上面明明白白的写了方块电阻
如果什么都没有,那只能给你一个大概参考值,薄metal在0.15~0.2ohm/sq,top metal大概0.02ohm/sq
建议先搞清工艺的metal scheme,不要简单比较m6,因为有可能是1p6m,也有可能是1p9m,那样毫无意义



   嗯嗯,谢谢指教!

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

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