同一工艺，为什么基本上都是P管比N管得最小L要小？
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假设N管在Psub上，P管在NW里的最简情况。
这种情况的前提是N和P都不是最小特征尺寸的器件。比如0.13um工艺里的 3.3V N/P ，N一般是 0.35u ，P是 0.3u 。
主要是P 的 穿通 vds 比较大，所以 L 可以小一点。
pmos has a better SCE(short channel effect) than nmos.
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