串联两个nmos管导致压降太大应该怎样解决
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第一可以修改结构，，这个方法试过几次改不出只串联一个nmos管的结构
第二个方法是改参数 ， 听说改宽长比可以， 具体怎么操作?
还有什么方法呢
第二个方法是改参数 ， 听说改宽长比可以， 具体怎么操作?
还有什么方法呢
1.一条支路上串联的两个NMOS管，可以合并成一个管子的；2.宽长比你不会改吗?
不知道你说的是什么电路，要干什么用的，你问的问题的有问题，回答起来我感觉自己的智商都瞬间低了。
沒電路圖可明確說明 到時候回答起來牛頭去對馬嘴
樓主下次問問題最好像教課書上一樣有圖片 並且標明symbol name這樣大家才不會說錯
上电路吧
增加第一个管子的宽长，相同电流下减小VGS，从而减小过驱动电压，达到减小进线性区最小的VDS电压，这样就能减小电压余度。
但从小编说明的情况来看，我估摸着小编是调偏置的问题。电压余度不是太低的VDD，一般没问题
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