5V工艺做USB1.模拟PHY
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在做driver端的时候，DM（DM比DP端多了个1.5K上拉电阻） DP的波形随工艺角 温度变化比较大，始终无法满足在所有工艺角或温度条件下都能满足USB协议中规定的DM DP的要求（比如-40°满足了 85°就满足不了，SS满足了，FF就满足不了）。
由于不方便贴图，描述一下具体的电路结构：
LOW-SPEED时
电流是V/R的方法来实现的，驱动管前级做了摆率控制。基本上就是比较典型的USB驱动电路的结构。
求各位大神指点一下
由于不方便贴图，描述一下具体的电路结构：
LOW-SPEED时
电流是V/R的方法来实现的，驱动管前级做了摆率控制。基本上就是比较典型的USB驱动电路的结构。
求各位大神指点一下
全速应该没啥问题，低速设备是需要挂200pF到450pF的，官方标准，挂上去1.5K上拉就不那么明显了
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