带隙基准电压设计
录入：edatop.com 阅读：
最近在仿真一个带隙基准电压源，这个是总的电路。仿真的时候发现NM0、NM1处在亚阀区，从而导致这两个管子的源级电压只有几个毫伏，NM2也截止了。我怎么调才能使NM0、NM1进入饱和区了。请大神们指教一下，小弟感激不尽！
运放输入管换成P管哦
这个输入管尺寸做大，200u/1u,在看看
运放输入在0.6V左右，就算你输入对管的源为零，也不好开启呀，如楼上所述，换成p管输入可以避免这个问题。
换过了这两个管子还是不行，出去截止区。这是为什么了?
你调调偏置呀，你看看你的偏置电路，P管能打开吗?
还有P管输入，P管做负载，为什么不折叠?
我在试试。谢谢啊！
你PMOS输入对的运放怎么能这么搭?
输入管是换成P管了，问题是都不是“输入对”了。
输入为P管的运放不是这么搭的，你翻下书看下
这个电路能用
能用是能用，但是输出端在P mos的S端，这里得到的输出阻抗R小了点，整个OP的增益不大呀，做的没有意义了
建议换成P管输入
看得我想哭
巨型菜鸟，你多看看书啊。
PMOS管做输入对管，NMOS电流镜做负载，好好看下书，不要在犯这种错误了
看论文时好多人用到图1、图2结构的bandgap，与书上经典bandgap的电路结构（图3）相比这里多了几个电阻和少了一个三极管，我想问的是
（1）图1多了2个电阻和图2多了4个电阻有什么作用，与图3相比有什么区别?
（2）图1和图2这两种结构的电路于什么区别?
希望给位前辈指点一下，小生感激不尽！
这个是因为你的运放的共模输入电压处在了ICMR之外的原因，你用了NMOS做尾电流源，又用NMOS做输入对管，那么你的ICMR下限就是VGSmn0+VDSmn2,在你电路工作时运放的共模电压低于这个值，那么输入对管自然就不会处在正常工作的饱和区，因此你需要把ICMR的下限拉低，不改变这个结构，不换PMOS输入对管也可以做到，只要调整NMOS的W/L使下限足够低也是可以的，当然这不容易做到。
如果换成PMOS管，则相当容易，ICMR下限甚至可以比GND还低，而且PMOS的噪声性能比NMOS更好，如果非要用NMOS，则像楼上说的换成折叠就可以了。
谢谢你的讲解。（1）图1多了2个电阻和图2多了4个电阻有什么作用，与图3相比有什么区别?
手算一下，不难发现图一图二的基准电压是可调的，图三是固定的
（2）图1和图2这两种结构的电路于什么区别?
四个电阻的情况，运放的共模更低，或许能用在低压设计?
另外，要注意图1图2的启动图3中由于R2的存在，可能会使得两个PMOS电流源输出有一定偏差，进而使得流过BJT的电流也会有一些偏差。而图1和图2应该解决了这个问题，而且图2中对于运放的输入共模电压会比图1的要低，有可能是降低功耗或者其他考虑。这三个图都可以调节电阻比，使得N的取值不至于太大，但是前两个图效果会更好一些，代价是器件成本上升
谢谢小编的详细讲解，前面两个问题我都懂了。另外，要注意图1图2的启动?
这个能将详细点吗，能给个电路图吗?那几个电阻主要是提高PSR的，另外也提高了电路的启动速度。
你能解释一下为什么这种电路需要启动电路吗，找了一些资料说的好含糊。圖一,圖二是current mode ,好處是輸出可隨意不用一定在bandgap 約1.24v
圖二是為了 op較好在低壓的設計
圖三是voltage mode精簡版,缺點是pmos受vds之差異造成不準確度
因为电路两边分别为线性和非线性电路，导致电路存在两个简并点，若没有启动电路，电路可能稳定在0电流状态。问一句，你后来提到的图一图二中的Q3是不是省略了?还是说，你R2是个负温度系数电阻，得到的I1+I2本身就是与温度无关的电流呢?又或者是你负温度系数的抵消，靠得是R2和R3的综合作用?比如说图一。
两路bjt没有导通时，比如图二的运放输入都稳定在0.3v,电流关系也成立
也就是说有多简并点。
启动电路要确保启动到正确状态。
我印象中记得有人碰到过这种情况。申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
