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求助:LDO的负载调整率应该怎样测试?

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在仿真中我使用电流源代替负载,不知道是否正确?
芯片流片快回来了,现在在准备测试方案,不知道实际芯片是如何测试负载调整率的,希望有相关经验的前辈指点,不胜感谢!
并且能否指点提高LDO负载调整率的关键所在,要求有点多

理想源不准
变化电源负载测试,看输出电压

仿真可以用sw切换负责电阻测试可以用电子负载

提高LDO负载调整率有两种办法,(1)提高带宽,提高slewing rate,(2)加大输出电容.

保持电源电压不变,改变负载电流的大小,测量输出电压即可。注意需要从芯片的PIN测量以避免连线电阻造成的电压DROP。

四楼的,我认为负载调整率只是DC特性和你所说的两项无关。加大环路GAIN对负载调整率才有好处。

忘记说了,这个LDO预定连接的负载有VCO,频率约为2.485GHz,输出电流摆幅有20mA

请问 负载调整率的负载应该在多少时间内变化?一个us还是10个us,比如负载从100mA变化到500mA 应该在多少时间内达到500mA?
谢谢

正解

我顶我顶我顶顶顶
我顶我顶我顶顶顶


1us就可以……或者100ns,时间太长就不准了……

为什么说不准呢?如果跳变时间长点的话(eg:5us)那么明显电路的过冲就会小 11# luckyhuihui666

hao dong xi a  a

受益匪浅啊,了解了

测量输出电压即可

跑出图形来 要怎么计算呢 load regulation?

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

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