首页 > 微波/射频 > RFIC设计学习交流 > T厂PDK的阅读出现障碍,求助

T厂PDK的阅读出现障碍,求助

录入:edatop.com    阅读:
T厂PDK文件中给出了mos器件的工艺角偏差会给出:vth_lin/vth_sat/vth_gm/Idlin/Idsat/Ioff/Isoff等,请问都是什么意思呀

小编来吧,传授一些经验

以.13um core NMOS为例:
Vthlin is extracted by sweep Vgs@ Id = 0.1uA*W/L, Vds = 0.05V;
Vthsat is extracted by sweep Vgs @ Id = 0.1uA*W/L, Vds = 1.2V;
Idlin is measured @ Vds = 0.05V, Vgs = 1.2V;
Idsat is measured @ Vds  = Vgs = 1.2V;
Ioff is measured @ Vgs = 0, Vds = 1.2V...



    多谢分享,vth-gm就是我们常用的量吧,在0.13um工艺下,vth-lin和vth-gm有没有很大的偏差呢?

多谢分享,



    赞一个

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

上一篇:问个LDO电源输入电压的问题
下一篇:共模反馈环路的稳定性分析探讨:环路带宽和环路裕度

射频和天线工程师培训课程详情>>

  网站地图