N和P型的厚场导通阈值分别为多大？
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比如.35的高压工艺，铝引线，假设两层之间的隔离层为二氧化硅，厚度为0.6um，MOS本身沟道浓度N和P分别为2.4*10（17）和8.5*10（16），大神们，帮估算一下如果存在寄生导通沟道，则对于N型沟道而言，大概金属引线上走多大电压，就可能引起下层寄生导电沟道。
这个一般foundry 都有提供数据吧
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