环形VCO的相位噪声

做了这么多结构的环振，发现相位噪声最好的时候大概频偏1M 106dBc，环振的相位噪声能做到110dBc 以上甚至120吗?我知道相位噪声是与其他性能折中的，比如好的相噪相应功耗也就大一点，但有没有一些好的电路结构可以把这两者的性能做到最佳呢?

首先，多少频率?

   恩这个很重要，上面忘讲了，200M~350M

   250MHz的110dBc@1MHz 应该可以，120很难吧。你什么工艺?

   90nm工艺，是不是相对更难了

  不清楚。

   做到了110dB的VCO，你用的是什么结构?还有功耗是多少呢?可否分享一下?

   五个反向器的就可以，并且你可以试试在MOS管source和电源之间加个电阻。

200-350M , 也可以考虑 8倍的时钟，然后除下来。

   这加个电阻的作用是什么?这有点源级负反馈的意思?对提高相位噪声有用吗?还是其他的作用?

   您好，谢谢您的回复，那请问  也可以考虑8倍的时钟，然后除下来?  这句话怎么理解?

   减小噪声啊

   老实讲，还是不懂加电阻减小噪声的原因，反而我觉得电阻本身有噪声呢?

   增加了R的热噪声，减小了晶体管的闪烁噪声。

向大家学习了

   减少晶体管的闪烁噪声，我是这样理解的，源级加电阻构成源级负反馈，从而减小了从栅极输入到漏极输出的噪声增益，就像在运放中我们一般不考虑共源共栅管的噪声一样，是这样理解的吗?
那既然这样，反相器下面的NMOS管源级和地之间也可以加一个电阻来进一步减小噪声?

负反馈也减小了Gain，和SR，感觉是不划算的。

看两位大牛交谈，学习了

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