请教电流镜像比例因子的问题
主要从噪声和匹配方面考虑
谢谢您的回复。我是担心匹配的问题,如果我想得到一个100mA的输出电流,输入电流为10mA的匹配性会好于输入电流为1mA,但是会增加功耗。
我想请教一下,最大的电流比例一般会取多少,失配的问题通过前端仿真我看不错来。
小编好问题,我也来学习
小编问题是
, 如果input 1ma 想mirror 到100ma
a.
1:100直接 mirror
b.
1:10 再来是
1:10 => 1:100
这两方式那个比较好吗?
, 两边都可以 trim ,
在来 1:10 可能mismatch 会比直接 1:100 小些, 毕竟你如果 mos mirror 做 1:100 那得画多少根?
另外 current mirror 如果拉高mos L 可以改善, 从 simulation 就可以看出 w/l 保持下, 如果直接拉高 L , corner sim 偏差会降低,
还有一点如果你要最后 100ma accuracy , 也可以最后做 trim,只要前面offset能被 trim调回来,
不过一般还是会前面做准点, 后面加trim , CP 时yield rate可以高些
十分感谢您的回复。我的电路如下(P1的栅和漏接一起):
Iref=1mA,流过N2的电流需要是100mA,P2:P1=K1,N2:N1=K2,那么K1*K2=100,内部功耗=Iref*(1+K1)*Vdd。
从功耗的角度考虑,我希望是K1越小越好;从电流匹配及版图面积的考虑K2也不能太大。
根据您刚才提供的经验,需要在这两个值之间做个折中。
我想把K1=5,K2=20。
非常感谢您的经验分享。
你只使用 一级? current mirror 为何不 cascade ? 一来PSRR会好且更准, 单一级会mismatch 很大
这个需要考虑一下面积,我会尽量使用cascode结构。多谢!
主要看你要多大的精度了。精度要求高,那么肯定是镜像比小一点好。要提高精度,电路方面,vdsat大一点,器件面积大一点。版图方面,共中心对称,周围放dummy,layout的时候尽量使每个器件周围环境相同。monte-carlof仿真要看标准差的3三倍(3-sigma),这样置信区间高。
多谢您的回复。这样考虑就很全面了,现在是如何做折衷的问题了,我再仔细考虑一下这个项目最在意的参数,最后再定下来如何取舍。
赞一个。这个比较全面了。
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