480M pll 版图后仿真和前仿差别很大的问题

用SMIC018工艺设计的电荷泵结构的480M PLL，VCO用的环形震荡器，结构版图后仿真发现VCO和前仿差别很大，比如同样1.3v 控制电压下，前仿500M，后仿真只有300M，我已经将每级布线延迟尽量减小了，但还是不理想。不知是不是SMIC model问题，还是本来就应该这样，我设计余量留小了?

是LC的还是Ring的?如果LC的500MHz掉到300，好像是你的版图有点问题
一般前后防100MHz左右，不过不排除Model的准确度。

是ring的，发现每级联线作屏蔽时，致使寄生电容有点大。但也不至于差这么多。SMIC mos model对较高速应用应该很成熟吧?

死亡率很高呢

Model 是没有问题的，我们都用了那么多年了，你自己看一下屏蔽线贡献了多少电容，然后每个stage的推动能力是多大，
要是你的屏蔽都有50f F 了，然后你的MOSFET都很小，那就不行了。

会不会是VCO的电压掉的太多了

看你后仿的vctrl是否在VCO线性工作范围内，这才是关键。

QQ空间模块

想问下,你的整体PLL后仿真是否与前仿效果是否一样?

掉这么多。

好，谢谢

ring OSC确实比较叉绝大

我们公司的ring osc前仿的时候已经比流片出来的慢了，再做后仿真，那就慢更多了

好好在版图上找找原因，可以用calibre只抽管子试试就知道了，
估计还是你的寄生太大，导致频率下降的厉害

恩   受教受教了

very good,support

edfdfddfdf

dfdfdfdf

学习了

前仿后仿偏差在10M左右

1G以内的版图，前后差个10%一般可以接收

500M以内一般只有5%的差别

USBPLL? 这种单点的PLL  应该是最好做的吧

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