熔丝烧不断怎么办啊

0.5u 2p2m工艺，按照设计规则做的，熔丝做的是l/w=8u/1.5u，Metal 1结果熔丝烧完之后，有些很好，电阻在M级之上，但很多还有400K左右的电阻
烧熔丝用的是电容充放电，不同的电容电压值均试过，好像改善效果不明显。
怎么解决！

这个还是和代工厂先沟通一下，同时确认测试仪器没有任何问题

曾经经历过只有用特定的电压才能烧断，低了高了都不行。就是出一个中间的电阻值...。应该是工艺的问题，烧断的metal又和别的东西连在一起了应该。

metal1 ?2p2m 當然要使用top metal(metal2),還要開window,通電高熱氧化,就不會有熔回成低阻的情形.

不是一般用（top-1）层金属么?

           感觉是电流不够，一般你这种规格的fuse电流应该要在350mA以上。电容放电是会不稳定，因为受寄生参数影响较大。
要考虑到探针的接触电阻每次都是不一样的。这与针的位置深度以及氧化度都有关的。这个电阻大了就可能烧不断了，单纯的加大电容是没有的。因为有R，C大了时间常数也大了，放电的瞬态电流也就下来了。
      可否考虑直接用电压电流源烧?可能的问题是这样trim pad端会有较大的反冲电压，就看看你内部有没有考虑可靠性。

    一般通用工艺是n-1，实际上用 n-1 metal和top metal 开窗的效果是一样的，因为腐蚀氧化层都是会过腐蚀的
因为对金属没有腐蚀性，所以遇到金属腐蚀就停止了，但为了保证金属上没有氧化层残留，露出金属后会在腐蚀一段时间。
所以，实际上n-1metal上的氧化层也都没有了，即使有，也是很薄的一层，不影响气体溶出。
使用n-1，在后续封装过程中，对应力的承受还是要好于top，同时很多top都是thick metal，不适用于做fuse

这位哥们是在CSMC假.35工艺做的吧

width smaller ！

efuse 电阻那里的layout也有考究的，最好能做成形成电流拥挤的那种layout， 最好引入比较器比较的那种，因为除了工艺厂商做的IP， 设计方作的很难保证良率的。
    实际上按照参考，良率好的都是直接电迁移open的，而我们自己设计的很多都是直接发热熔断了的，这种很容易熔断后藕断丝连，不好控制烧写的过程。 自己做的最好用顶层metal ，有开空的。

metal fuse 一般是 top-1 ,前面說過但是  還有一點燒FUSE 會有東西跑出去
所以 PROCESS 會須要問是否會可以燒
還有 fuse space多少 ?  有些時候會發生燒斷又融回去.
現在應該大家都改 laser fuse 了吧, metal fuse 須要留 current trim PAD 很佔空間.
efuse 电阻 有些使用 poly , 也是外灌高壓5v 大電流 去燒
烧熔丝用的是电容充放电
為何是使用電容? 還是你的是 efuse ?
efuse應該不會使用 metal , 因為 metal 比poly 要更大電流才能燒斷, 而且 1.3um 也很粗了
以前碰過 poly fuse 會做到 0.5um 下

   楼上正解

     CSMC的efuse就是对metal的。

CSMC的efuse . 那請問要多大電流可以燒斷?

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