使用BCD工艺的LDMOS做H桥的疑问
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目前要使用BCD工艺做驱动电路的设计。我看了一些datesheet中他们在H桥的上面两个nmos管子使用了电荷泵的电路提高栅极电压，还有的是直接在H桥的电源上面加了电荷泵，对这种方法不是很理解。
但是目前我使用的BCD工艺中 VDS的耐压最高可以到40V， G的耐压为5V，(这个5V是否是最大耐压值)
那么我要怎么去设计H桥上面两个nmos管的栅极电压
但是目前我使用的BCD工艺中 VDS的耐压最高可以到40V， G的耐压为5V，(这个5V是否是最大耐压值)
那么我要怎么去设计H桥上面两个nmos管的栅极电压
5V的耐压是栅到衬底，话说这个是薄氧化层的参数。
我看了一些文档里面的栅压可以达到20几V的耐压，这个是否是用厚氧的工艺做的
可能是。但我见到的厚氧耐压是80V
5V差不多是最高了，再高不能超出20％
好东西,值得拥有
Vgs电压要限制在合适的范围内，对于H桥的high side两个nmos，只有使用charge pnmp来实现gate 驱动。一般会在gate和source之间加限压电路，最简单的加一个zener 。
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那么这个限制Vgs的电压要求应该就是栅极的耐压水平吧~
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