关于迁移率测试
录入：edatop.com 阅读：
新手一枚，请教各位大神，在HEMT结构中，怎么测量沟道的迁移率，例如最简单的GaAs（cap）/AlGaAs(delta doping)/InGaAs(channel)/buffer,用Hall测试的时候接触电极是不是需要合金合到channel层啊?还有测试厚度怎么输入啊?谢谢
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
上一篇：关于Sansen在上海的开课
下一篇：模拟IC新人求业内前辈指点迷津
