关于失调电压

各位大侠好！请问：
1 运放的失调电压可以通过spectre仿真出来吗（其仿真的时候是不是默认是理想状态）?
2 书上有类似的失调电压公式，但失调电压是随工艺有关的随机量，是不是只能通过MC来仿真。如果是的话，那失调电压公式是不是只是作为参考，使设计人员知道怎么样减小失调电压，但具体量化的话只能通过MC?
谢谢了！

1. 可以的通过MC仿真，别的只能仿真出系统性失配
2. 那个公式其实已经很好用了，工艺的变化，Tox就跟着变化。
  MC只不过能给出更具体的量。

谢谢您的解答！
也就是说：1 关于工艺的随机适配，Spectre默认是理想状态，无法仿真?只能通过MC?
2 还有个疑问：按照MC仿真的说法，失调电压应该是个平均值为0的高斯分布函数，遵从6sigma，但是那个公式得出的是个具体的数值，不符合平均值为0的高斯分布函数这个情况！这是怎么回事?
还请大虾再详细解释下！

1是对的。
2不知你说的是什么意思。

4# goodsilicon
我的意思是：失调电压应该是个平均值为0的随机量，而书上的那些关于失调电压的公式得出来的是个确定的数值，那这两者之间有什么样的区别和联系！
谢谢了！

你就当那个确定的数值为1个sigma吧，好像事实也就是如此。

非常感谢，请问你试过吗?

7# forever6269 检

检查你的model工艺库里是否有mismatched model，如果有，就可以做MC仿真
此外请问stoneduan，一般你的测试结果（批量或者测试片）和理论公式会偏离多少?恳请不吝赐教
Alvays

我也想知道，还请大虾赐教了！呵呵！

期待答案~

请大虾赐教了！

没有批量测过，但据说MC给出的结果已经很准确了，甚至可能会悲观些 。

菜鸟弱问一下 什么是MC

   蒙特卡罗分析法

用MC仿真是统计模型了，可以表征可能非理想因素了

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