关于power cut cell 中diode的类型的疑问

请教各位，power cut cell中的diode用哪一种类型的diode是最佳的?
1.   比如说不同的power domain，VCC VDD之间的power cut cell肯定不能用非隔离型的diode，会latch up，那就只剩下deep nwell 下的diode和肖特基二极管。哪一种最适合做power cut cell?一般diode的尺寸怎么考虑?
2. 不同的地线之间如果要加power cut cell，应该就可以用非隔离型的diode了吧，反正都是地线，应该无所谓latch up，那选择就多了，P diff in nwell，nwell diode， deep nwell等等，哪一种是最佳的选择?

因为一直用SMIC的IO lib，没有具体的GDS和SCH，所以不知道这个器件用的是什么。希望有了解情况的给我些帮助谢谢^_^

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