请问N-well和Deep N-well制造上有什么区别吗？
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比如制造方法，掺杂浓度什么的。
tong wen
当然不一样，DNW先做，NW后做。DNW在下方，NW在四周，他们共同作用实现对内部的包围从而起到隔离的效果。加上DNW后，内部区域的所有NW实际上都通过下方的DNW连在了一起。掺杂也不一样，NW掺杂直接影响P管的性能，DNW掺杂的要求应该低一些。这些看看foundry的文档应该能弄清楚了。
同意，DNW浓度应该会相应低，有些工艺会用DNW耐高压。
thanks for sharing
用途也不同，一个给PMOS用，一个用于隔离NMOS用的Pwell和Psub用，所以掺杂什么的都不太一样。
好的了解了，不错
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