如何仿真eeprom存储单元
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厂家提供了擦除和编程两种的spice模型，
现在我想用hspice仿真看一下1 bit单元分别存‘1’和‘0’时候的特性，但是不知道如何仿真，哪位兄弟能告知一下仿真的方法或者思路，不尽感激。
现在我想用hspice仿真看一下1 bit单元分别存‘1’和‘0’时候的特性，但是不知道如何仿真，哪位兄弟能告知一下仿真的方法或者思路，不尽感激。
厂家都提供model了，你为啥不能仿?你只要在各个端扫描电压，就能看到I-V曲线了呀。WL=VDD
谢谢楼上
之前我的思路不对
你说的I-V曲线应该就是能说明存‘0‘或者存‘1’了，因为编程和擦除时考改变存储管的Vth来实现的
不知道理解的对不对
大哥能传给我一下eeprom的仿真模型吗，最近苦于没有模型。先谢谢了。
huaerdiaolingdexin@163.com
好像不是这样的。从EEPROM的读出电路的输出端看每个比特是否写了零和一才是根本的验证。在仿真中是没有办法把一个器件的模型从擦写模型变成编程模型的，即便是用Spctre的Alter或者Altergroup语句，这样做起事业达不到系统验证的目的。我们在研发EEPROM的时候是有遵循一个完整的验证方法的。
路过 学习一下
同求MODEL。为这烦着呢。
同求model哈
no results ！
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