前后仿真差距很大

Device的后仿参数也会对电路特性影响很大。在模拟设计中，要特别考虑后端版图对device特性的影响。

0.13um及以上工艺，前后仿差距加大，因为sa,sb和sc的作用。

仔细检查一下不提任何参数的提取电路，比较容易出问题的地方在于multiplier和finger。如果rule file写得不好，会提出multiplier个并联的管子，但在每个管子中又同时还保留有multiplier的参数。finger的问题同前述。

差别很大有多大呢?
Ibias照理不会太大

再先进工艺 ，只要L不是最小值 不会差别太大

先看抽RC正不正確

请你明确你采用的工艺节点吧。

都有些什么器件，如果有bipolar器件就要手动改一下网表。
后仿提出来是什么?schematic还是netlist?
schematic view提电阻会有问题，最好用netlist。

谢谢，已经找到问题了，是在提取后仿网表时，三端电阻的子电路中的宽和长和子电路定义的parameter形式的宽和长名字不对应，所以每次仿真时电阻都是默认的大小了，改下名字就好了。

谢谢，已经找到问题了，是在提取后仿网表时，三端电阻的子电路中的宽和长和子电路定义的parameter形式的宽和长名字不对应，所以每次仿真时电阻都是默认的大小了，改下名字就好了。

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    请问这种问题如何解决呢?

请问这种问题如何解决呢?

这个属于提取的规则有问题，把这个问题提交foundry，让他们来解决。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。