关于电压基准两种mos器件工艺角仿真问题
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近来小弟在做电压基准，从原始的带隙基准做到现在低压应用较多的亚阈值基准，但是亚阈值基准中用了两种不同阈值的器件，其实就是2v和3v器件，有点问题想不太明白，在进行工艺角仿真时，只需要仿五个工艺角（两种器件工艺角设置一样），还是要仿真5*5=25种工艺角（两种器件分别设置），因为关于工艺方面知识并不是了解很多，在实际制作过程中，不知道会不会出现两种阈值器件不同工艺角，望高人解答，不胜感激。
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