gm计算和仿真

四个管子跑DC，sub 均和source连接无体效应。
根据列表中的参数按照公式gm=2Id/(Vgs-Vth)
得到的结果和仿真列出的差好多。这是怎么解释。
比如最后一组，安公式计算 2*5u/(0.498-0.466)=312
列表给出的gm=91.25u

另外有什么好的方法得到比较不同工艺器件的gm值吗。

hand calculation 是簡化的公式
有很多參數沒考慮進去
要以simulation 結果為主

再多看看拉扎维的书，自己再多调调就有感觉了，这就是insight

关键是vdsat和vgs-vth差别过大所致，如果你用2*Id/vdsat,可能差距就没有那么大了。

    还要考虑背栅跨导和沟道调制。差别就出来了。

    手动是简化，但是这算出来的差别也太大了啊。

    器件仿真我用的都是 sub和source相连的，基本应该可以排除背栅效应的影响，沟道调制效应会有，但是用仿真给出的vgs 和vth以及Id计算出来的gm和仿真给出的gm相差也忒大吧。
    另外请教一下，各位得到电路中某个器件的跨导是通过什么手段，是手动简单计算，还是看仿真DC状态列表啊?

   器件均为sub和source连接，基本消除背栅效应，够到调制效应会有影响，但是通过列表给出的vgs和vth以及Id算出的gm,和仿真给出的gm，差别也太大了，
   另外请教一下，通常查看电路里看某个器件的跨导是手动估算还是查看仿真静态点DC 列表啊还是有其他的方式。

   用Vdsat差不多，如果这还是短沟道的，考虑速度饱和就能对上了

还有，Vgs-Vth小于70mV的时候，管子进入弱反型区。按平方率算gm已经不再适用了。

    赞同

    看dc比较准确。

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