请教－－－“为什么spectre里面的vdsat不等于vgs-vth ”－－－感触良多！

当我们设计电流源负载时，经常面临Vds、Vgs-Vth和W/L的折中问题，相信很多同学会碰到这个“很具有经验性”的抉择。
此刻借此宝地，真诚请教有经验的同学、工业界的高手不吝赐教，给出一个经验性的指导，这将会使众多的同学们受益。
疑问：在低压VDD=1.8V, VSS=0V条件下希望得到大摆幅、高线性度，
1。若MOSFET饱和区工作，一般要求Vds>=Vgs-Vth，那么手工估算时取Vds=Vgs-Vth还是取Vds>Vgs-Vth?
2。若取Vds＝Vgs-Vth来估算，那么，Vgs至少要比Vth大多少合适呢?
3。若取Vds>Vgs-Vth来估算，那么，Vds至少要比Vgs-Vth大多少合适呢?
真诚希望高手们赐教！谢谢！

看gm/gds 有多好就好了
设计不要那么古板啊

帮你顶！学习！

帮顶，共同学习

手工嘛！一般不考虑二级效应，用不着算Vds的。不过若果计算输出幅度的时候，可以考虑Vds=Vg-Vt

看ee240
看ee240

一般Vdsat好像取150mv~200mv。
Willey Sansen那个ppt上这么讲的。

好东西，学习一下

对,这个问题我也想过.也很想请教呢

一般来讲vdsat去0.2V会好些，不过不是绝对的。跟你的工艺有些关系。如果取大一点可能衬偏效应就显著了，取小会在输出电流的上升边缘。一般就让你的输出电流比较平的那些vdsat都是可以的，当然你还要考虑你的输出摆幅了。

lz说做电流源负载，nmos的话，s和b都接地，pmos的话s和b都接vdda，衬偏跟vds有什么关系吗?没看懂你说的

应该去300mv左右，保证各种corner下，该mos都能保持在深度饱和区

全是答非所问，
是因为bsim3 model不再依赖vdsat了，呵呵
如果level 1就可以了

人家说的是估算

我回答的是标题，发帖子连标题和内容都对不上，呵呵,语文学不好的人做电路也怕不易

Allen书上有解释，bsim3中Vsat=（Vgs-Vt）/(1+fb),仿真时都用bsim模型，结果出来的就不相等了

kankan

take vg-vd> 1.5*vov

do not use absolute value, because it will be subjected to process variation, temperation variation.

请问这个fb是指什么?

from Bake's book:
for Long channel mos: Vds>=Vgs-Vth=Vdsat is ok,
for short channel mos: the override voltage Vds = Vgs -Vth>=5%*VDD should be ok to make the mos to saturate.

rererrer

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正在为这个事心烦呢！

学习了！

Vsat和Vdsat不是一个概念吧
既然BSIM中vdsat不等于vgs-vth ，那是以哪个为标准来判定管子的工作区呢?

个人觉得这个和工艺是有关的.
小编讲的都长LONG CHANNEL 而且是LEVEL 1
而实际设计电路就要看仿真结果了 看工艺文挡也可以得到答案

对于短沟道器件Vdsat与gm/Id不同
通常Vdsat<gm/Id

有谁可以整理一下正确答案吗?

我们就在用

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