请问过冲是怎么产生的？

一 阻尼系数偏小 出现的振铃
二 三 寄生电容引起的毛刺

寄生电容怎么使输出电压高于电源电压的呢?

这么说升压电荷泵就没法实现喽

一桩归一桩,电路接法不一样,升压电荷泵是多个电容串联,或者电容与电源串联,当然可以高于电源电压
但是数字信号的驱动器,输出也就是个反相器,怎么能与电荷泵混在一起?

只是说明有电容存在，导致这个问题。
反相器它也会有电容负载，输出到达电源电压后PMOS不会立即停止对输出端的电容充电, so.....

mos的栅漏电容会将输入信号耦合到输出，引起输出电压过冲，超过电源是有可能的。

充电的条件是有电势差,电压充到电源一样高了也就不存在电势差了,电流怎么会在MOS管中从低电压流向高电压使高压更高呢?

栅漏电容是存在,而且会起作用,
但是对输出级来说,假如先前的状态是输出 0 ,那么对N管来说栅电压应为 VDD ,栅漏电压是正的, 翻转的时候栅压变为 0 ,如果栅漏电容不放电,输出应该是负压, 产生下冲, 可是这时候正常输出是上升沿, 实际情况是产生上冲, 好像说不通了

是吗，那还得想想
我的看法是如果之前输入是高，输出低。当输入变高的时候，输出会瞬变为2VDD，如果pmos漏栅电容够大的话。

输入是高,怎么还会"变高"呢?
你说的现象是自举,在反馈上经常用,弥勒电容就是这样的

顶一下,请各位解答一下

寄生电感电容也会导致过冲

同意状态翻转时耦合产生毛刺。

主要是封闭bonding wire的寄生电感引起的

非线性寄生元件，电感或者电容等，对电荷的充放电等效应引起的

对于方向器，此处寄生电容不仅仅是N管的栅漏电容，还有P管的栅漏电容。这个寄生电容应该不是固定值吧，应该跟管子的工作状态有关系！?

嗯嗯！我得多學點~

感觉感觉~

说得有理，振铃现象应该就是这样产生的，IO对外部的寄生电容充电，是通过bonding wire以及PCB走线了的，这些走线的寄生电感和电容导致LC振荡，导线内阻使振幅越来越小，过冲应该是阻尼振荡的时间很短，同时寄生电感比较大，也是振铃现象的一种

从我的理解来看,如果你说的过冲指正余弦震荡的话
1.闭环系统本身就可能是个多阶系统,二阶,LC系统为例子,解Vo=VI+A1e^jwt+A2e^-jwt,用欧拉公式,就可以看到VI后面叠加了个三角函数,过冲也就可以解释了.
2.数字系统,频率很快,金属连线的寄生电感也不能忽律,他们和电容一起作用,形成过冲,有电感了,高于电源电压也好解释了(情况1中,电感不是主要原因,主要是多阶系统的解).
3..前面也看到了,1.2.都能使输出电压高于电源电压.
PS:不一定正确,个人理解,希望大家讨论.

学习。。

电容上的电压不能突变，反相器稳态时，若输入为低，则输出为高，近似等于Vdd；此时，若输入突然急剧上升，由于栅漏间的miller电容上的压降不能突变，导致输出端的电压也急剧上升，甚至超过Vdd,即过冲。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。