0.18 工艺的n18MOS管的漏源电压能大于3.3V吗

栅别击穿就行，漏源好像没事

谢谢 回答

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楼上说的不对吗?

二楼说的应该对吧

当然不推荐,具体看工艺参数
看device check的报警

看栅氧化层的厚度，如果栅氧化层厚容许电压高些。

Firstly, check GOI lifetime. GOI or TDDB would decide the maximum VDD.
Secondly, check HCI lifetime, which will be solved by enlarging gate length.

不推荐，1.8v是foundry可以保证正常工作的电源电压，要是3.3v下silicon失效，没有人可以承担责任吧

No,不行的！

最好不要。寿命受影响

谢谢各位的回答

学习学习。

    你好，请问你说的GOI和HCI是什么?

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