关于90nm迁移率的问题

cadence中仿真得到的nmos参数中可以看到 迁移率为u0=0.38 cm^2/V*s   而看到0.18工艺库中 nmos的u0大概在422 左右
  请问下怎么会差这么多，单位也完全一样。

cm变成um了?

不对  不好意思  当我没说

   您也在cadence 中看过吗?

按照半导体物理计算一下即可

   对半导体物理不是很熟悉，能请给个大概计算公式吗?　　谢谢你

后面还有10^3吧

单位不一样

看错了吧LZ，在我用的90nm的model里，u0=0.036，单位是m^2/(V*s)。 栅氧厚度tox=5.54nm，
计算得到的NMOS的unCox约等于275uA/V^2, 和仿真结果相符。
敬请LZ仔细核查

   嗯嗯   

   您好，您看下，这是我仿真结果。不知道是否准确?
   单位我也希望是m^2/v*s
   另外，tox在90nm 应该在2左右吧

   cadence中的单位和我计算的不一样   不知道什么问题。

Hi lishiliang,
So what's your 90nm spice model version and when its' updated?

学习中！

It's an old version, year 2008..............
   

It's the same model with mine, as I know there is a newer model: DOC. NO.:  T-N90-CM-SP-016 and DATE: 09:51PM, Nov. 25, 2011
I really need this newer one, but it seems impossible for me now.

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。