低噪放（LNA）噪声系数（NF）测试结果与后仿真结果偏差很大，什么原因？

tsmc 0.18工艺的低噪放，后仿真噪声系数NF要小于1dB，流片封装焊接在PCB版上测试，使用校准后的噪声头测试得到的噪声系数要大于2dB，多次流片结果都是这样，
其它指标比如增益和线性度都还正常。版上有没有遇到过类似问题的，或者知道大概怎么解决?

窄带的?

单端的还是差分的低噪放?

仿真用的匹配器件是理想器件吗?

   嗯，是窄带的，单端LNA，也是经典结构

   仿真用的是理想元件，如果考虑匹配电感的Q值有限，串联阻抗（欧姆级别）也不至于对噪声系数有这么大影响才对啊..

   单端的经典结构

是不是用IC5141仿真的，5141版本没有考虑gate induced noise，只考虑了f噪声和沟道噪声。
对于噪声大的影响不大，比如3db加个零点几dB，但是对与低NF，可能会影响增大。
建议以后用610以上版本。
只是建议仅供参考。电感的Q值，有木有加ESD什么的，对于噪声也有影响。再有绑线的影响考虑也要准确一些。

是不是用IC5141仿真的，5141版本没有考虑gate induced noise，只考虑了f噪声和沟道噪声。
对于噪声大的影响不大，比如3db加个零点几dB，但是对与低NF，可能会影响增大。
建议以后用610以上版本。
只是建议仅供参考。电感的Q值，有木有加ESD什么的，对于噪声也有影响。再有绑线的影响考虑也要准确一些。

那前面有SAW吗?

    不知道你PCB上的匹配电感是哪一种。如果是0402封装的绕线电感，Q值较高，NF测下来通常会比0201的电感好0.3~0.5dB。
    而你如果仿真的时候加入非理想的电感（Q值取30左右就可以了），仿真就能看出噪声系数的恶化！通常也有0.5dB。
    再者，就算匹配元器件、bonding wire、ESD等等不恶化NF，你如何保证测试和仿真的LNA的噪声匹配情况是一样的?假设仿真情况下你已经把匹配调到了噪声最优的情况，得出来1dB的NF；你如何保证测试中也找到了这个最优点?

谢谢~
嗯，用的5141，EDA工具的原因倒是没考虑过... 看看是不是有可能换个版本；
仿真的时候用的是加入了ESD，封装的，片外匹配用的是理想电感。
还有，由于不方便做裸片测试，不知道PCB对噪声系数的影响有多大

谢谢~1 前面没有SAW；
2 用的0402的贴片绕线电感，另外，非理想电感有这么大影响?0.5dB！我仿真再看看..
3 仿真观察到的是：偏离噪声匹配，只要不是很离谱，噪声系数可能大一些0.2dB左右，但是不会很多..

电源噪声，衬底噪声，这些你考虑了没?

关于gate induced noise，能问个问题么
我看了下BSIM3V3的模型说明  mos管模型的nqsMod参数是控制非准静态效应的
而tsmcrf018工艺的mos模型文件中nqsMod=0，也就是tsmcrf018工艺默认是不打开非准静态效应这个选项的，也就是不考虑gate induced noise
不知道是出于加快仿真速度的目的，还是就是不考虑非准静态效应会和工程上的结果符合得更好
我修改了下工艺库的模型文件，把其中的非准静态效应打开后，除了噪声，发现输入阻抗的实部也变化了20欧姆的样子
想了解下这个非准静态效应是打开还是不打开 和工程上的结果符合的更好

还有我现在也在做LNA设计或者电源方面的设计 希望有一起学习的 能大家一起交流下
QQ:549073987（LNA ）864024580（电源）

BSIM 3系列的模型是不支持gate-induced noise的，BSIM4才开始支持，而且为了增快仿真速度，其模型和常规基于物理模型的van-der ziel模型也不相同，BSIM的很多参数都不是基于真实物理模型的
BSIM的NQS模型我没用过，只是好奇参考了一下BSIM 3.3的用户手册，发现它好像并不是用来模拟gate-induced noise的。具它介绍BSIM3的NQS模型考虑了形成沟道反型层所需的充放电时间，可以提高快速的开关电容电路中源漏电荷再分配等现象的仿真精度，

不是说gate-induced noise是由NQS引起的吗?
那LNA仿真的时候需不需要把BSIM3V3模型的NQS打开呢?
毕竟两者的仿真结果还是有差距的

Bonding, packaging, matching network will all contribute to the NF increase, especially in high frequency.

这个噪声没有做过细致的评估，PCB板上测试大概会有多大影响?

跟软件也有关系的呀

楼猪真有钱，流片n次。哪家公司的啊。一般片外都基于mutura的做仿真啊

请问小编的后仿真是用spectre做的，还是用hspice作的呢?
我也在做低噪电路，不知道这两个用哪一个会更好一些。
谢谢。

1.都流了N次片 怎么仿真片外元件不用实际的呢，用muruta的不就可以了嘛，另外，仿真的时候你要把封装参数带进去仿啊。
2. BSIM3V3不支持 induced gate noise以及excess channel thermal noise，如果有PSP模型的话，你就用PSP啊，PSP模型里面考虑了这两个噪声的。
3.还有 IC5141不支持 induced gate noise 吗，第一次听说。

真羡慕六片好多次的

pcb effect

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