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请问片内LDO结构哪种好?10mA负载2nF电容

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想做一个片内的LDO,0~20mA负载 0~2nF电容 5.5-1.62V 降压到1.2V请教各位大神,哪种结构比较靠谱。主要考虑省面积,谢谢!

20mA负载不大,相对简单。



   一般的pmos加一级运放能搞定么?

    可以搞定,最多你再增加一个零点



   主极点放在哪比较合适?

   还是说有别的结构可选?

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