为什么nmos的vth受器件length的影响比pmos管大？
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为什么nmos的vth受器件length的影响比pmos管大?大概有6～10倍的差值。是因为nwell工艺的影响吗?
还可以啊。
没有感觉差这么大，应不超过一倍吧
nmos和pmos的工艺参数不同，比如 doping不一样
不能这么讲, 有可能不同的L范围, 变化量有区别, 这和 器件采取SURFACE CHANNEL, BURIED CHANNEL, 有没有HALO IMPLANT, TIP IMPLANT, STI CORNER 的形状等等,工艺参数密切相关的.
这是我放真到的，smic 0.18um 3.3v 器件的特性。
3.3v 器件 变化有这么大?
你仿真的方法呢?
扫描参数从0.6u到2u，查看.op结果vth值。
我一般都是二极管连接 然后加个理想的电流源
nmos的迁移率比pmos大
I=0.5*uCox(W/L)(Vgs-Vth)^2*(1+入Vds）
由于un>up，所以其他参数相同时，nmos受Vds影响大
个人意见，欢迎指正。
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