大家知道“MOS CAP电容”和“MOS电容”以及“用MOSFET做的电容”的区别？
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如题，请问大家?
看不出題意說的三種東西有什麼差別?
nmos in nwell 比nmos是不是电容起来的快，更稳定，也不是很懂
nwell-oxide-poly电容在反型的时候，看做是耗尽电容和cox的串联，电容大为下降。
PMOS 栅极为一端，SDB为一端的话，就可以把反型时候的沟道和衬底短接起来，反型时电容不会减小
这种是积累型MOS，
另一种是反型层MOS。
有木有详细点的回答啊?
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