想请教一下射频模块中对LDO指标有什么要求
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我打算给1G的VCO做一个LDO，初学水平有限，就只用了一个折叠式共源共栅放大器和功率级接成了反馈，仿真的时候用ac仿的开环性能，GBW将近100M增益100dB，相位裕度90度。然后和VCO接在一起仿真之后发现了这样的波形：
LDO的输出电压随着VCO电压有轻微的震荡，但我仿相噪发现这样噪声性能不仅没有变差，好像还有轻微的提升。
现在有几个疑惑：
1.一个是这样的现象是否是正常的?如果不正常的话，LDO的指标应该设计成什么样子才能避免这种问题?
2.应用到高频和低频电路时，LDO结构上需要做什么改变么?或者说在这两种情况时，LDO的性能指标需要有什么区别嘛?
之前没仿闭环特性是因为不太会仿哈~希望也能请教一下你们闭环应该怎么仿真~
非常感谢大家的帮助！
LDO的输出电压随着VCO电压有轻微的震荡，但我仿相噪发现这样噪声性能不仅没有变差，好像还有轻微的提升。
现在有几个疑惑：
1.一个是这样的现象是否是正常的?如果不正常的话，LDO的指标应该设计成什么样子才能避免这种问题?
2.应用到高频和低频电路时，LDO结构上需要做什么改变么?或者说在这两种情况时，LDO的性能指标需要有什么区别嘛?
之前没仿闭环特性是因为不太会仿哈~希望也能请教一下你们闭环应该怎么仿真~
非常感谢大家的帮助！
个人认为带宽太宽了；
可以接负载电容吗?
GBW不需要这么大是么?这个GBW应该多大是根据什么确定的呀?
输出端有一个1nF的电容，我也不确定这个电容应该多大~
既然可以外接，那就一直加，加到输出的波动满足你的要求
首先LDO输出的震荡是和VCO同频率吗，如果是加CAP,但是片外cap没什么用；如果不是那就是LDO稳定性有问题了。
是同频率~不过没太明白你说的片上和片外电容的区别，用片外电容不是因为片上不能用太大的电容所以才用片外电容么?
片外电容离VCO太远了，还要经过PAD的寄生电阻和电感。
同频率说明是VCO影响了LDO，是不会影响VCO的性能的。
LDO瞬态响应能做的好点吗?
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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