电阻的温度系数可能为负吗？

半导体工艺里的电阻，经常会参杂p型或者n型的杂质，和分立器件的电阻不一样。

电阻的温度系数完全有可能为负！
例如:SMIC 0.18um工艺里面
Silicide N+ diffusion resistor的温度系数TC1=3.12E-3
Non-Silicide N+ Poly resistor的温度系数TC1=-1.35E-3
电阻和掺杂类型,掺杂浓度和材料有关
比如说Si和多晶硅材料肯定不同
记得以前学半导体物理的书里面有关于半导体材料
的电阻率方面的内容,电阻和载流子浓度,迁移率等参数都有关系的 ,具体怎么算还给老师了

电阻只是满足R=V/I的表达式，
不同工艺会提供不同类型电阻，
当然就会有不同电阻方块值、温度特性。

一般掺杂Si（多晶Si）电阻的温度系数为正温，而本征或称为高阻Si（多晶Si)为负温系数，金属电阻为正温系数。

CMOS工艺中完全可能，现在用的HR电阻就是负的温度系数

在集成电路正负温度系数的电阻都有，主要是由于电阻掺杂类型所致！

在集成电路正负温度系数的电阻都有，主要是由于电阻掺杂类型所致！

在振荡电路中负阻还是非常重要的哦

一般的电阻都是正温度系数，例如 base P  、注入电阻。 而且随着方块值的增加，即浓度的不同，温度系数也不同。
poly电阻比较特殊，高阻poly属于负温度系数，而低阻的poly属于正温度系数。

路过，学习了！

长见识了 谢谢

jueduiyoukenng

It is very useful, one can use both resistor with negative temperture coeffecient and resistor with positive temperture coeffecient to design a temperture-independent voltage divider！

贊一個

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。