3.3V NMOS 用来做电容，Gate一端，SDB为一端，能耐多大交流电压？

一般1.2倍电源电压，stress不能太高。

   这个有什么说法吗? 在那能看到这类的东西

    Stress大会影响MOS寿命，甚至直接击穿。大家都这么说。

cmos 5v,能耐到7v, 工艺差距也比较大

如果考虑Stress，Passive RFID Tag，只是有能量场的时候才会被激活，时间极短，并不是一个恒定有源的应用，是否考虑寿命和其他产品会不一样?
比如3.3V MOS 承受6V左右AC电压，但是时间很短。

“比如3.3V MOS 承受6V左右AC电压，但是时间很短。”理论上可以，但时间“多短”和工艺有很大关系，还有环境（温度，湿度）

gate oxide不见得有那么脆弱
看看PCM测试里面的BVGS
原来测过老工艺的200A-的gate oxide可以抗25V+
只是foundry不会承诺很高的BVGS给自己找麻烦
而且栅氧击穿不可恢复
总之，如果要看极值的话看PCM报告里面的BVGS
至于具体用多少，保守就直接问foundry，如果有经验就看对可靠性有多大的容忍程度

   请问PCM测试是什么测试呢

process control monitor其实就是wafer上面的测试单元的电参数测试结果
有的foundry管process过程中的条宽，电阻率，还有别的什么东东以及最后的电参数测试都叫PCM
有的foundry把最后的电参数测试叫WAT什么的

反正一个东东，如果你们是大客户的话，可以造foundry拉这个结果，可以看到工艺的一些器件数据

5V以内。

BVGS很少在PCM文档里面有。

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