华虹BCD35能实现5V高压隔离型ESD吗？
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想请教个问题，华虹BCD35 里面nl40和pl40（高压隔离标准5V MOS）也能按照design rule来做高压隔离ESD吧?请指点谢谢！
这个工艺我用过，你说的是5V，外面加高压隔离环，抗噪声很好，最好不用于ESD隔离，BCD35有专门的高压ESD管，特别是量产，出问题，HHNEC不管。
谢谢！ 有的情况下需要使用高压隔离型ESD，例如一边PAD是20V，另一边PAD是25V，相差仅5V，而且这两个PAD之间是隔离型高压5V管。
一般高压隔离型5V管也能实现GGNMOS或者GDPMOS吧?结构和一般的标准5V管类似，只是在高压nwell/nbl里。
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