关于CSMC0.5um工艺的MOS管的温度系数问题

由于温度系数会根据不同的长宽修正，最直接的方法莫过于跑个仿真，从曲线里提参数了。

   恩 谢谢你的回答。这样理解，对单独的管子进行仿真?扫描temp，从曲线里能看到趋势，但是如何看具体数据，以和电阻温度系数抵消呢?

    id对温度的导数就是温度系数啊。

和温度无关的电流源
一般來說如果 bandgap current 設計夠好可以 IPTAT 就可以無關.
但是 溫度要求
-40 ~ 150 度都要不變?
還有 多少算穩定 ?  多少 ppm ?
如果 bandgap +   温度系数抵消   一般是 n_well resistor + poly_resistor
去合成一個低溫度
也有些 process HR 有特殊低溫度系數但是 ,阻值低 記得是 400~500 Ohm/square ,
雖然可以使用這得到 低溫度系數  + bandgap 就可以得到 低溫度系數電流,
但是 一般使用低溫度系數 那本來  HR1k/ hr2k/ hr3k  沒得使用了

    请教一下nwell R和 poly R合成一个低Tc R的原理是什么?效果明显否?

HR poly  負溫度系數 +  n_well    正溫度系數 .抵消阿
你自己去看 spice model  TC1  TC2 就知道 .

    哦哦，忘记nwell r是正温度系数了，刚才没过脑子，谢谢。

   这种做法其实是不太可行的，因为是两种不同的电阻，他们之间的匹配是个问题。

   nwell R 和 poly R 匹配有点问题，但是 nwell+poly R和nwell+poly R 匹配问题不大吧。

   well电阻不及poly电阻啊，而且电压系数也不小。

    电压系数是个问题，凡事有利有弊吧。

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