科學家找到改善MRAM儲存密度的新方法
录入：edatop.com 阅读：
磁性隨機存取記憶體(MRAM)是以磁性方式儲存資訊，但該種記憶體到目前為止在密度上都無法達到與快閃記憶體等電荷式(charge-based)記憶體的水準。現在，有研究人員聲稱已經透過打造一種能讓垂直磁區(perpendicular magnetic domains)尺寸小至40奈米的鐵電介面(ferroelectric interface)，解決了MRAM的密度問題，甚至可讓MRAM儲存密度超越快閃記憶體。
在傳統的MRAM中有兩個鐵磁盤(ferromagnetic plates)，它們各維持一個磁場、由一層薄薄的絕緣層分隔。利用磁場來改變其中一個磁盤的狀態，使兩個磁盤相匹配或是磁性相反，就能儲存位元。而由日本東北大學(Tohoku University)所開發的新技術，是改用自旋電流(spin current)來切換記憶體狀態，讓垂直磁區能比傳統的MARM更小。
對此，專精介觀磁性系統(mesoscopic magnetic systems)的美國紐約大學(New York University)教授Andrew Kent表示，上述日本研究人員的成果，顯然是利用了傳統的鐵磁材料。
藉由打造垂直寫入的磁穿隧結接面(magnetic tunnel junctions)，該研究團隊利用了鐵磁盤與穿隧阻障間的介面各向異性(interfacial anisotropy)。研究人員使用鈷鐵硼氧化鎂(CoFeB-to-MgO)介面產生巨穿隧磁阻(giant tunnel magnetoresistance)變化率，就能以低於49微安培(microamp)的低電流切換位元開關。
(參考原文：Perpendicular MRAMs challenge flash，by R. Colin Johnson)
在傳統的MRAM中有兩個鐵磁盤(ferromagnetic plates)，它們各維持一個磁場、由一層薄薄的絕緣層分隔。利用磁場來改變其中一個磁盤的狀態，使兩個磁盤相匹配或是磁性相反，就能儲存位元。而由日本東北大學(Tohoku University)所開發的新技術，是改用自旋電流(spin current)來切換記憶體狀態，讓垂直磁區能比傳統的MARM更小。
對此，專精介觀磁性系統(mesoscopic magnetic systems)的美國紐約大學(New York University)教授Andrew Kent表示，上述日本研究人員的成果，顯然是利用了傳統的鐵磁材料。
藉由打造垂直寫入的磁穿隧結接面(magnetic tunnel junctions)，該研究團隊利用了鐵磁盤與穿隧阻障間的介面各向異性(interfacial anisotropy)。研究人員使用鈷鐵硼氧化鎂(CoFeB-to-MgO)介面產生巨穿隧磁阻(giant tunnel magnetoresistance)變化率，就能以低於49微安培(microamp)的低電流切換位元開關。
(參考原文：Perpendicular MRAMs challenge flash，by R. Colin Johnson)
以前有 MRAM feRAM 現在出現 RRAM
但是 好像都還沒法取代現在 flash disk
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
