萊斯大學最新的電阻式記憶體（RRAM）憶阻器

http://chinese.engadget.com/2014/07/25/future-phone-terabyte-storage
新的技術可在室溫環境與較低能耗之下生產，大幅度地改善了以往需要超高溫、高電壓的低良率高成本製程，降低了製作難度。而綜合以上的優勢所得到的結果就是，為了將可在一張郵票大小的晶片中，獲得 TB 級的超大記憶體容量。很難想像吧?跳轉以後觀看更詳細的介紹。
這次的技術突破點在於，研究團隊改採以金屬（金或白金）填入僅有 5 nm 寬的奈米級二氧化矽層的孔縫之中的方式，並且以兩片非常薄的金屬包覆來製成電極。這樣製作方式相較以往將可大幅降低成本，並且可以增加一百倍的使用次數，儲存單元的密度也因此大幅增加 -- RRAM 的每個 Cell 單元可儲存 9 bits（Flash 則是僅有 3 bits）-- 這樣的成果讓我們普遍見到的 RAM 記憶體的容量單位，一躍到了在固態硬碟 SSD 上才會見到的 TB 級容量大小，但所需要的體積卻是迷你很多。

http://chinese.engadget.com/2010/09/03/on-memristors/
憶阻器

憶阻器的理論模型，憶阻器的位置在右下角

但是 RRAM 到底是那些IC DESIGN 有開發和量產?
以前還有一些 FeRAM

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