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压控振荡器的前仿和后仿差距较大是怎么回事?

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最近在做一个差分对型延时环节的环形振荡器,用的是TSMC的0.35um工艺。版图画完后后仿的结果与前仿的结果相差较大,前仿时当控制电压为1.5V时振荡频率为56MHz,但后仿时只有30MHz左右。版图的DRC和LVS验证都是通过的,但前后仿真差距就是大,望各位大神能够指点一下

相差一半左右太正常了,版图寄生电容所致,注视掉寄生电容,频率马上提升


我也猜测是寄生电容的影响,但对版图了解不多,不知道怎么减小这些寄生参数的影响啊

wpe也很明显

30MHz,寄生相差这么大?怀疑版图画的太……

还算正常

你把主要节点的寄生电容提出来加到schematic里仿一下,如果差不多就是寄生电容太大了,可以优化版图改善一下

版图画的太烂了,另外back annotate寄生

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