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scr是不是只能在双阱工艺中使用?

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小的现在用的是普通的smic工艺,p衬底和n阱,能不能画scr器件?各位大虾帮帮忙

没有Model 你敢自己画? 这device做出来怎么过lvs,怎么qualify?
你不怕latch-up ? 现在大家都不走寻常路啊,呵呵



    小的也想要model。哪里有免费提供的?

现在都是双well工艺了,0.5um以下



   对的,刚才看了一下版图层,确实是有一层pw,请问一下 一般厂家的pdk有提供scr器件吗?

SCR比较难伺候,需要厂家支持。

这位大侠说的对. 如果你用SMIC 工艺,  可以查一下是否支持该器件.或者小编准备先试验一下, 准备跟foundry 联合开发SCR?



    查看了pdk的所有文档,关于esd方面的只说了当输入是5v的时候,两个nmos管串联。去smic主页查看,并没有说明有没有提供scr器件。

SCR一般厂商不会提供的,风险太大,除非有专利授权的

SCR一般都是自己开发的

通常 esd cell 內畫 p n  pn 方式做 parastic SCR
沒有 scr model 也沒拿來真當電路用吧 ..
bipolar process 或許還能
但 cmos 內很多 bipolar 是受限

我们在Smic工艺上自己开发了SCR保护电路,流片出来已经在独立测试机构拿到耐压8000伏的认证了。保护触发点是手算的,没有仿真模型,估出来还不错。倒是一直想仿的,各位有什么好办法。LVS可以忽略掉,也可以通过在规则文件中添加对寄生器件的识别来做。看各自对风险性评估而定吧。

scr T-CAD 不能 跑嗎?

顶啊!

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